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多种开关电源MOS管驱动电路详细解析
在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候,大部分人都会考虑MOS的导通电阻,最大电压等,最大电流等,也有很多人仅仅考虑这些因素。这样的电路也许是可以工作的,但并不是优秀的,作为正式的产品设计也是不允许的。 [查看更多] -
全面解析MOS管特性、驱动和应用电路
在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候,大部分人都会考虑MOS管的导通电阻、最大电压、最大电流等,也有很多人仅仅考虑这些因素。这样的电路也许是可以工作的,但并不是优秀的,作为正式的产品设计也是不允许的。 [查看更多] -
MOS器件的发展与面临的挑战
随着集成电路工艺制程技术的不断发展,为了提高集成电路的集成度,同时提升器件的工作速度和降低它的功耗,MOS器件的特征尺寸不断缩小,MOS器件面临一系列的挑战。例如短沟道效应(ShortChannelEffect-SCE),热载流子注入效应(HotCarrierInject-HCI)和栅氧化层漏电等问题。为了克服这些挑战,半导体业界不断开发出一系列的先进工艺技术,例如多晶硅栅、源漏离子注入自对准、LDD离子注入、polycide、Salicide、SRD、应变硅和HKMG技术。另外,晶体管也从MOSFET演变为FD-SOI、BulkFinFET和… [查看更多]
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